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關(guān)務(wù)小二

標(biāo)題: 商務(wù)部：對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅繼續(xù)征收反補(bǔ)貼稅 [打印本頁]

作者: 關(guān)務(wù)小二 時(shí)間: 2020-1-20 15:41
標(biāo)題: 商務(wù)部：對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅繼續(xù)征收反補(bǔ)貼稅

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商務(wù)部公告2020年第2號

關(guān)于對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅反補(bǔ)貼措施期終復(fù)審裁定的公告

2014年1月20日，商務(wù)部發(fā)布2014年第4號公告，決定對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅實(shí)施最終反補(bǔ)貼措施，實(shí)施期限為自2014年1月20日起5年。

2019年1月18日，商務(wù)部發(fā)布2019年第3號公告，決定自2019年1月20日起對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅所適用的反補(bǔ)貼措施進(jìn)行期終復(fù)審調(diào)查。

商務(wù)部對如果終止反補(bǔ)貼措施，原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅的補(bǔ)貼和對國內(nèi)太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)的損害繼續(xù)或再度發(fā)生的可能性進(jìn)行了調(diào)查，并依據(jù)《中華人民共和國反補(bǔ)貼條例》（以下稱《反補(bǔ)貼條例》）第四十七條作出復(fù)審裁定（見附件）?，F(xiàn)將有關(guān)事項(xiàng)公告如下：

一、復(fù)審裁定

商務(wù)部裁定，如果終止反補(bǔ)貼措施，原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅的補(bǔ)貼可能繼續(xù)或再度發(fā)生，對國內(nèi)太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)造成的損害可能繼續(xù)或再度發(fā)生。

二、反補(bǔ)貼措施

根據(jù)《反補(bǔ)貼條例》第四十九條的規(guī)定，商務(wù)部根據(jù)調(diào)查結(jié)果向國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會提出繼續(xù)實(shí)施反補(bǔ)貼措施的建議，國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會根據(jù)商務(wù)部的建議作出決定，自2020年1月20日起，對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅繼續(xù)征收反補(bǔ)貼稅，實(shí)施期限為5年。

征收反補(bǔ)貼稅的產(chǎn)品范圍是原反補(bǔ)貼措施所適用的產(chǎn)品，與商務(wù)部2014年第4號公告中的產(chǎn)品范圍一致。具體如下：

被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。

被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。

被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆·厘米（Ω · cm）；基硼電阻率<2600歐姆·厘米（Ω · cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×10-9;受主雜質(zhì)濃度>0.083×10-9。

主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。

該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項(xiàng)下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

繼續(xù)征收反補(bǔ)貼稅的稅率與商務(wù)部2014年第4號公告的規(guī)定相同。具體如下：

1. 赫姆洛克半導(dǎo)體公司 2.1%

（Hemlock Semiconductor Corporation）

2.REC太陽能級硅有限責(zé)任公司0%

（REC Solar Grade Silicon LLC）

3.REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司0%

（REC Advanced Silicon Materials LLC）

4.MEMC帕薩迪納有限公司 0%

（MEMC Pasadena, Inc.）

5.AE PolysiliconCorporation2.1%

6.其他美國公司 2.1%

（All Others）

三、征收反補(bǔ)貼稅的方法

自2020年1月20日起，進(jìn)口經(jīng)營者在進(jìn)口原產(chǎn)于美國的太陽能級多晶硅時(shí)，應(yīng)向中華人民共和國海關(guān)繳納相應(yīng)的反補(bǔ)貼稅。反補(bǔ)貼稅以海關(guān)審定的完稅價(jià)格從價(jià)計(jì)征，計(jì)算公式為：反補(bǔ)貼稅額=海關(guān)完稅價(jià)格×反補(bǔ)貼稅稅率。進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅以海關(guān)審定的完稅價(jià)格加上關(guān)稅和反補(bǔ)貼稅作為計(jì)稅價(jià)格從價(jià)計(jì)征。

四、行政復(fù)議和行政訴訟

根據(jù)《反補(bǔ)貼條例》第五十二條的規(guī)定，對本復(fù)審決定不服的，可以依法申請行政復(fù)議，也可以依法向人民法院提起訴訟。

本公告自2020年1月20日起執(zhí)行。

附件： (, 下載次數(shù): 0)

商務(wù)部
2020年1月19日
(, 下載次數(shù): 97)

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